Tiefenlithographieprozess fur SU-8-Dickschicht-Funktionsstrukturen auf FR4-Leiterplattenmaterial

摘要

Die photolithographische Dickschichtprozessierung ermoglicht eine prozessintegrierte Fertigung mikroaktorischer Komponenten aus SU-8, wie sie z.B. fur steuerbare Hochfrequenzkomponenten eingesetzt werden konnen. In dieser Arbeit wird erstmals ein Fertigungsprozess fur gegossene SU-8-Dickschichten auf FR4-Leiterplattenmaterial vorgestellt. Durch die Verwendung von FR4 als Substrat konnen die Spannungen an den Materialgrenzen minimiert und somit die Haftung der SU-8-Strukturen stark verbessert werden. Auf Basis eines etablierten Giessprozesses fur SU-8-Dickschichten auf Silizium wird ein optimierter Fertigungsprozess auf FR4 fur Schichtdicken zwischen 500μm und 1 mm entwickelt. Durch dieses Verfahren wird ein maximales Aspektverhaltnis von 30:1 erreicht.