Random Dopant Fluctuation (RDF); Source/Drain Doping; UTB SOI; Vt Variation;
机译:短沟道全耗尽型凹陷源极/漏极(Re-S / D)UTB SOI MOSFET的阈值电压模型,包括衬底引起的表面电势效应
机译:短沟道嵌入式源/漏UTB SOI MOSFET的亚阈值传导分析
机译:具有未掺杂或极低掺杂沟道区的纳米级超薄SOI MOSFET的源/漏串联电阻
机译:在标称未掺杂沟道的纳米级UTB SOI MOSFET中,由源/漏掺杂引起的RDF效应
机译:铟镓砷金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有5 nm沟道,并通过MBE再生长实现自对准源/漏。
机译:凸源/漏极(RSD)和垂直掺杂漏极(LDD)多Si薄膜晶体管
机译:完全耗尽的源极/漏极UTB SOI MOSFET亚阈值特性的建模和仿真,包括衬底引起的表面电势效应
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。