MBE; Growth; Kinetic Monte Carlo; GaAs (001); Reconstruction; β2 (2×4); Reflection high energy electron diffraction (RHEED); Rate coverage;
机译:RHEED原位模拟和GaAs(001)β_2(2x4)重建表面的光发射
机译:GaAs(001)表面InGaAs层生长过程中铟的偏析对RHEED振荡的影响
机译:GaAs(001)P2(2x4)重构表面的动力学蒙特卡洛(KMC)模拟和表征
机译:RHEED原位模拟和GaAs(001)β-2(2×4)重建表面的光发射
机译:离子表面上物理吸附的双原子分子的结构,稳定性和相变的计算机模拟:一氧化碳/氧化镁(001),氮/氧化镁(001)和氮/氯化钠(001)系统。
机译:在特高压MBE腔室中制备的Si(001)清洁表面上的相变:通过高分辨率STM和原位RHEED进行的研究
机译:通过RHEED振荡分析MBE生长的(001)GaAs的表面化学计量和形态