Laboratory of Semiconductor devices physics(LPDS), Physics Department, Faculty of science and technology, Bechar University, PO Box 417 Bechar, Algeria;
Laboratory of Semiconductor devices physics(LPDS), Physics Department, Faculty of science and technology, Bechar University, PO Box 417 Bechar, Algeria;
Laboratory of Semiconductor devices physics(LPDS), Physics Department, Faculty of science and technology, Bechar University, PO Box 417 Bechar, Algeria;
mbe growth; reconstruction; rheed; photoemission; gaas (001); 02(2×4); kinetic monte carlo;
机译:RHEED原位模拟和GaAs(001)β_2(2x4)重建表面的光发射
机译:理想GaAs(001)和AlAs(001)表面以及(GaAs)(m)(AlAs)(n)超晶格的一步式光发射计算-艺术。没有。 195321
机译:过渡金属(Cr和Mn)掺杂GaAs(001)中的表面电子结构的原位光发射光谱研究
机译:通过RAAS(001)β_2(2×4)重建表面的RAEED和PHEAREMICALY以原位模拟
机译:离子表面上物理吸附的双原子分子的结构,稳定性和相变的计算机模拟:一氧化碳/氧化镁(001),氮/氧化镁(001)和氮/氯化钠(001)系统。
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究
机译:富GaAs(001)-4×6和As富GaAs(001)-2×4表面上三甲基铝原子层沉积的原子-原子相互作用:同步辐射辐射光发射研究