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公开/公告号CN112857270A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-28
原文格式PDF
申请/专利权人 上海科技大学;
申请/专利号CN202110022387.0
发明设计人 翟晓芳;梁根豪;成龙;
申请日2021-01-08
分类号G01B11/30(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构31001 上海申汇专利代理有限公司;
代理人徐俊
地址 201210 上海市浦东新区华夏中路393号
入库时间 2023-06-19 11:08:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-09
授权
发明专利权授予
机译: 利用原位加工形成不同介电薄膜的双金属结构的综合介电薄膜的形成方法
机译: 利用感应耦合等离子体溅射装置形成具有改善的密度,硬度和表面粗糙度的Mo-N / Cu薄膜的方法
机译: 具有诸如立方氮化硼(BN)的氮化硼(BN)薄膜的探测器以及利用该探测器的方法,系统和阵列
机译:等离子刻蚀和粗糙化聚合物薄膜:一种快速,准确,原位的表面粗糙度测量方法
机译:Multiplex HPV RNA原位杂交/ P16免疫组织化学:一种探测HPV相关癌症乳头瘤病毒的新方法。一种新型多重ISH / IHC测定以检测HPV
机译:一种由电沉积铁薄膜制备纳米结构α-Fe2O3薄膜的新颖原位制备方法,用于有效的光电催化水分解和有机污染物的降解
机译:利用RHEED实时研究薄膜生长的原位织构
机译:用原位TEM方法探测钇铁石榴石薄膜薄膜的形态学
机译:一种新的原子深度分布分析方法,使用Rheed-总反射角X射线光谱(TraxS)和薄膜的生长模式。
机译:一种利用等离子体波现象测定原位电子温度的新方法