机译:GaAs(001)表面InGaAs层生长过程中铟的偏析对RHEED振荡的影响
Universidade de Sao Paulo. Institute de Fisica, CP 66318, Sao Paulo, SP 05315-970, Brazil;
A1. reflection high energy electron diffraction; A1. segregation; A3. molecular-beam epitaxy;
机译:实时RHEED研究相邻GaAs(001)衬底上生长的InGaAs层中铟的偏析
机译:InGaAs / GaAs生长情况下晶格失配和生长速率对RHEED振荡衰减的影响
机译:GaAs(001)预生长表面形貌和重构对InGaAs层生长的影响
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机译:InGaAs / GaAs多量子阱中的缺陷产生:晶体和光学特性与外延生长条件的相关性。
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