6T SRAM cell; 8T SRAM cell; Data retention voltage; Read noise margin; Write noise margin; Intrinsic parameter fluctuation;
机译:45 nm技术下的6T,8T和9T decanano SRAM单元的设计与分析
机译:基于真实CNTFET的6T,7T,8T,9T和10T的比较分析
机译:8T与6T SRAM单元的辐射鲁棒性:比较分析
机译:6T,8T和9T decanano SRAM单元的比较研究
机译:基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
机译:高速单端6T和8T SRAM细胞的设计