机译:辊式线性CMP(roll-CMP)工艺中材料去除率的数学模型:抛光垫的作用
机译:化学机械抛光中磨料粒度和浓度对分子尺度材料去除的建模效果
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:低压CMP中材料去除率优化的模型:垫孔隙率和磨料浓度的影响
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:最大化运动前后的低压高压氧治疗对乳酸浓度心率恢复和抗氧化能力的影响
机译:基于磨料氧化铝(Al2O3)的CMP 6H-SiC晶体(0001)Si表面的材料去除率研究。