Plasma-unterstutztes Aufdampfverfahren zur Herstellung Dunner Hermetischer Borosilikatglasschichten im Wafer-Level-Packaging

摘要

Borosilkatglas eignet sich durch seine hervorragenden Materialeigenschaften in besonderer Weise fur den Einsatz als Werkstoff in der Mikrotechnik. Es ist thermisch und chemisch sehr bestandig, verfugt uber sehr gute elektrische Eigenschaften und bildet eine zuverlassige Barriere fur Feuchte und Gase. Mit dem hier vorgestellten plasmagestutzten Lithoglas- Prozess konnen dunne hochzuverlassige Glasschichten im Bereich von wenigen 100nm bis zu einigen 10μm bei hohen Abscheideraten direkt auf z.B. Halbleitersubstrate abgeschieden werden. Die Substrattemperatur liegt hierbei nicht hoher als 100°C und ermoglicht so die additive Strukturierung der Borosilkatglasschichten durch den Lift-Off einer Photolackmaskierung. Dieser einzigartige, CMOS-kompatible Lithoglas-Prozess eignet sich fur eine Vielzahl von hochzuverlassigen Anwendungen im Bereich der Halbleitertechnik, MEMS und Medizintechnik.