首页> 外文会议>Conference on Lasers and Electro-Optics Quantum Electronics and Laser Science Conference >Fabrication of antireflection nanostructures on GaAs by holographic lithography for device applications
【24h】

Fabrication of antireflection nanostructures on GaAs by holographic lithography for device applications

机译:通过型计算机应用通过全息光刻制备GaAs对GaAs的制造

获取原文
获取外文期刊封面目录资料

摘要

We demonstrate the fabrication of antireflection nanostructures on GaAs using holographic lithography. Measured results of the fabricated nanostructures are in good agreement with the calculated values using a RCWA model, effectively suppressing the surface reflection over visible and near-infrared ranges.
机译:我们展示了使用全息光刻的GaAs上的抗反射纳米结构的制造。使用RCWA模型的所得纳米结构的测量结果与计算值良好,有效地抑制了可见光和近红外范围的表面反射。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号