Dc and rf performance; Carbon based electronic; Device technology; Electrical characteristics; Semiconductor devices; Wide band semiconductors; Device modeling; Small-signal equivalent circuit;
机译:650 MW / mm输出功率密度为10 GHz的H封端的多晶钻石MISFRET
机译:GaN-On-Silicon上的H封端的多晶金刚石P沟道晶体管
机译:H端多晶金刚石上的表面沟道MESFET的DC和RF性能
机译:H封端多晶金刚石上的金属半导体场效应晶体管建模
机译:多晶金刚石压块的切削力学建模以及对钻头的扩展。
机译:H端和O端纳米晶体金刚石薄膜上的成骨细胞分化
机译:GaN-On-Silicon上的H封端的多晶金刚石P沟道晶体管