Current density; LED; Laser Diode; Quantum well;
机译:InxGa1-xN / GaN量子阱二极管发射能量的显着电流依赖性
机译:脉冲电流条件下InGaN / GaN多量子阱发光二极管中电致发光跃迁能量的注入电流依赖性
机译:左阱宽度对AlxGa1-xN / GaN双量子阱中子带间跃迁的影响
机译:InxGa1-xN / GaN量子阱二极管中量子阱宽度对过渡能量随工作电流转移的影响
机译:GaN / InGaN发光二极管中量子阱结构的建模和分析。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:错误:“电致发光转变能量在脉冲电流条件下的脉冲/ GaN多量子阱发光二极管中的电致发光过渡能量的注射电流依赖性”J。苹果。物理。 118,033101(2015)