InxGa1-xN／GaN柱形量子点中电子的能级研究

摘要

在有效质量的理论框架下，考虑量子点的三维约束效应，研究了InxGa1-xN／GaN柱形量子点中电子的能级，讨论了柱形量子点中电子的基态（m=0）和激发态（m=1）能量以及柱形量子点的电子云概率密度。计算结果发现，InxGa1-xN／GaN量子点中电子Z方向的能量较大，Z方向越窄，其能量越大，径方向能量与角动量量子数m、径向半径R有关，角量子数m越大，能级越高，当角量子数m确定后，量子点的能量与径向半径R有关，径向半径越大，能量越小。当柱形量子点处于基态时，其电子云概率密度分布呈类椭圆形，越靠近中心处概率密度越大，并随着径向坐标ρ的增大而减小。