Neue Teststrukturen zur Messung von Matching und Alterung an MOS-Transistoren

摘要

Mit geringer werdenden Strukturabmessungen werden Fragen der Zuverlassigkeit von Einzeltransistoren innerhalb des Entwurfsflusses von integrierten Schaltungen immer wichtiger. So ist z.B. Hot Carrier Injection (HCI) ein Effekt, der die Zuverlassigkeit von MOS-Transistoren beeinflusst. Um diesen und andere Effekte untersuchen zu konnen, ist es wichtig, geeignete Teststrukturen zu entwerfen, welche auch in den Ritzgraben eines prozessierten Wafers verwendbar sind. Zudem muss eine Vielzahl von Bauelementen verschiedener W/L- Abstufungen testbar sein und die Strukturen sollten nur einmal wahrend des erforderlichen Langzeittests angetastet werden. In diesem Artikel werden neue Teststrukturen beschrieben, die die beschriebenen Forderungen erfullen. Ausserdem werden Messergebnisse zum HCI-Effekt von NMOS - Transistoren vorgestellt, welche mit den neuen Teststrukturen ermittelt wurden.