公开/公告号CN100440479C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 ATMEL德国有限公司;
申请/专利号CN200510006288.4
发明设计人 福尔克尔·杜德克;
申请日2005-02-02
分类号H01L21/786(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人曾立
地址 联邦德国海尔布隆
入库时间 2022-08-23 09:01:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-04-01
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/786 授权公告日:20081203 终止日期:20140202 申请日:20050202
专利权的终止
2008-12-03
授权
授权
2007-02-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-08-10
公开
公开
机译: 降低寄生电容效应的MOS晶体管及其制造方法(制造金属氧化物半导体晶体管和金属氧化物半导体晶体管结构的方法)
机译: Mos-晶体管及制备mos晶体管结构的方法-
机译: Mos-晶体管及制备mos晶体管结构的方法-