机译:氢稀释对通过等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)制备的氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜的结构,电学和光学性质的影响
机译:氢气稀释对热线等离子体辅助技术制备的硅掺杂薄膜性能的影响
机译:用SiH_4 / CH_4 / H_2 / N_2气体通过热线化学气相沉积法制备的高导电氮掺杂氢化纳米晶立方碳化硅薄膜
机译:通过热线CVD循环变化的氢稀释法来生长非常薄且掺杂的纳米晶硅膜
机译:掺杂和未掺杂的氢化非晶硅薄膜中纳米晶硅夹杂物的影响。
机译:在B(CH3)3存在下用氢等离子体处理通过RF-PECVD生长的非常薄的p型纳米晶Si膜
机译:通过热线化学气相沉积(HWCVD)沉积的氢化纳米晶硅薄膜的研究
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响