nanocrystalline silicon trimethylboron incubation layer subsurface growth PECVD;
机译:在B(CH3)3存在下用氢等离子体处理通过RF-PECVD生长的非常薄的p型纳米晶Si膜
机译:气体掺杂比对热线化学气相沉积生长的p型氢化纳米晶硅薄膜的影响
机译:在没有氢的情况下使用氦稀释在射频等离子体化学气相沉积中由硅烷等离子体制备的纳米晶硅膜:结构和光学表征
机译:RF-PECVD中由(SiH4 + B2H6 + H2 + N2O)等离子体制备的p型氢化氧化硅薄膜中的蓝响应的改善,以用于非晶硅太阳能电池
机译:分子束外延生长外延汞碲化镉薄膜中砷的掺入和P型掺杂的研究。
机译:基于裸硅衬底上生长的纳米晶SnO2薄膜的氢气传感器
机译:在B(CH3)3的情况下,RF-PECVD在B(CH3)3的存在下非常薄的p型纳米晶Si膜的氢等离子体处理
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响