65 nm; nMOS; Gate Dielectric; Threshold voltage; TCAD;
机译:Halo结构变化对22 nm栅极长度NMOS晶体管的阈值电压的影响
机译:栅电极材料对直流和交流应力下nMOS HfO {sub} 2栅堆叠中阈值电压(V {sub}(th))不稳定性的影响
机译:NMOS晶体管的阈值电压和跨导参数在NMOS逆变器性能中对于静态和开关操作条件的作用
机译:栅极电介质对65nm NMOS结构的阈值电压的影响
机译:NMOS低压差稳压器,带有开关式浮动电容器栅极过驱动。
机译:基于具有拟反相关界面的波纹金属薄膜的表面势垒异质结构中表面等离子-极化子的介电环境敏感性增强
机译:基于物理的阈值电压控制分析建模 完全耗尽的sOI双栅NmOs-pmOs柔性FET