interface traps; interface-trap charges; MOS transistors; recombination DCIV;
机译:MOS结构中表面复合直流电流-电压特性的温度依赖性
机译:基于非线性电荷控制公式的高电子迁移率晶体管的分析电流-电压特性模型
机译:栅极绝缘子过渡层对金属氧化物半导体晶体管复合直流电流-电压线形的影响
机译:MOS晶体管中重组直流电压特性的接口陷阱电荷
机译:研究用于表征MOS晶体管的重组DCIV方法的理论局限性。
机译:磁性粒子SrFe12O19修饰的半导电层对HVDC电缆电荷注入特性的影响
机译:mos2薄膜晶体管的高温性能:直流和脉冲 电流 - 电压特性