Silicon-on-Insulator; Doping flucuations; SOI MOSFET; multiple-gate MOSFETs;
机译:TCAD仿真研究亚纳米30nm多栅极SOI MOSFET的尺寸效应
机译:室温附近具有1.6nm栅极氧化物的多栅极SOI MOSFET中单电子效应的评估
机译:多门MOSFET穿通特性的综合研究-SOI MOSFET各种栅极形状的穿通电压趋势
机译:多门SOI MOSFET中掺杂波动效应
机译:对纳米级三栅MOSFET中的随机掺杂剂波动效应进行建模。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:低于25 nm的UTB-SOI MOSFET中固有参数波动的组合来源:统计仿真研究