hydrogen transfer; silicon film; Si/SiO_2bonded interface; implanted impurities; segregation; endoxtaxy;
机译:使用电感耦合等离子体源以低能量和高剂量率对多晶硅CMOS薄膜晶体管进行等离子注入氢化
机译:关于葛粉植入(PAI)在亚-16 / 14nm互补金属 - 氧化物 - 半导体(CMOS)技术节点中Ti直接接触形成超薄TISIX的表现
机译:光化学气相沉积SiO_2层的AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构金属氧化物半导体半结构场效应晶体管的高温性能和低频噪声特性
机译:通过离子注入和氢转移形成的CMOS晶体管的纳米级半导体异质结构
机译:用于后Si-CMOS应用的III-V半导体异质结构的研究
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:应变氢化Si / SiGe / Si异质结构的等离子体氢化,无需离子注入即可进行层转移