シリコンワイヤーの作製とその形成メカニズム

摘要

シリコンワイヤー（Siワイヤー）は、IC等の配線材料や量子効果を利用した新機能デバイスへの材料として期待されている。しかし、これらを作製する技術は、複雑な工程や高額な生産コストを要するなど多くの問題を含hでいる［1］。また、一般的なSiワイヤーは、基板に直接接しているため、デバイスへ応用する際に構造上の自由度が少ないという問題がある。一方、従来の研究から、Si基板表面に溝を形成した後、この基板を陽極酸化することにより、ワイヤーを基板から浮いた状態で作製する方法が開発されている［2］。