ZnO微粒子を用いた磁気抵抗素子の作製

摘要

情報社会の発展に伴いハードディスクドライブの記録密度の増大が常に課題となっている。現在テラバイトの容量を超えるために、垂直通電型トンネル磁気抵抗（CPP-TMR）やスピンバルブ巨大磁気抵抗（GMR）など、磁気抵抗比の増加を狙ったいろいろな素子が考案·実用化されており、さらなる記録密度向上のため、磁気抵抗（MR）比の向上が求められている。