纳米ZnO基掺杂气敏元件阵列的制备与特性

摘要

以金属蒸气氧化法制备的纯纳米ZnO为气敏原料,通过丝网印刷技术在Al2O3基片上制得纯ZnO和掺杂ZnO的气敏元件阵列.结果表明,元件阵列具有低的功耗,纯ZnO气敏元件阵列在350～400 ℃对橙汁、可乐、酒精和汽油有较高的敏感性,灵敏度分别为2.9,2.9,53.5和43.4.通过Bi2O3+Cu2O的掺杂,可以降低纯ZnO的电导,并进一步提高气敏元件在250～350 ℃温度区间对汽油的敏感性.并对其气敏机理进行了探讨.