BST thin film; MgO buffer layer; Sol-gel; MOCVD;
机译:在具有薄SrO缓冲层的Si衬底上生长的外延Ba {sub} 0.6Sr {sub} 0.4TiO {sub} 3薄膜的结构和介电性能
机译:Si(100)衬底上具有外延MgO缓冲层的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的优选取向生长
机译:Si(100)衬底上具有外延MgO缓冲层的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的优选取向生长
机译:BA {Sub} 0.6SR {Sub} 0.4TiO {Sub} 3薄膜的优选取向生长在Si(100)衬底上具有外延MgO缓冲层的薄膜
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:MgO(001)衬底上的薄膜PdFe / VN和VN / PdFe双层薄膜的外延生长和超导性能
机译:MgO缓冲MgO衬底上全Heusler合金Co2MnSi薄膜的外延生长
机译:离子辅助激光沉积中间层,用于在多晶和非晶基板上生长YBa2Cu3O(7-δ)薄膜