chemical mechanical planarization (CMP); kinematic forms; material removal rate; non-uniformity; numerical calculation;
机译:运动形式对化学机械平面化中材料去除率和不均匀性的影响
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:运动形式对化学机械平面化中材料去除率和不均匀性的影响
机译:使用无线温度传感器实时估算铜化学机械平面化(CMP)中的材料去除率(MRR)。
机译:用于Cu /ultra-low-к材料化学机械平面化的柔性纳米刷垫
机译:化学机械平面化(CMP)过程中材料去除率(MRR)的随机模型