activation; compensation; modeling; p-doping; resistivity;
机译:TCAD测量TCAD建模综合4H-SiC的补偿比的测定
机译:通过分析霍尔效应测量来研究铝植入N型4H-SiC的电荷补偿起源
机译:植入的p型4H-SiC中的铝受体活化和电荷补偿
机译:通过模拟电阻率测量来提取铝植入4H-SiC的活化和补偿比
机译:具有高铝摩尔分数硅植入铝镓氮化铝的电激活研究
机译:光呼吸CO 2补偿点的测量不确定度及其对叶片光合作用模型的影响
机译:植入P型4H-SIC铝受体激活和充电补偿
机译:高铝摩尔分子硅注入氮化铝镓的电学活化研究2。论文