すずめっき皮膜からのウイスカ発生における物質移動·エネルギー変化·ひずみの関係

摘要

電子回路問の接続に用いられる端子においては、端子と導線末端との競合に際して良好な導電性、ならびにはhだぬれ性が必要とされるため、表面処理としてすず系めっきもしくは金めっきが施される。環境負荷低減·費用削減·省資源の観点からは、純すずめっきが望ましいが、すずめっき皮膜からは時間経過とともに直径約1μm·長さ数百μm-数mmの針状結晶（ウイスカ）が発生し、端子間の短絡が起こることが問題となっている。既報（1，2）において、酸化皮膜ならびに銅－すず化合物形態の不均一性が、ウイスカ発生に大きく影響することを述べるとともに、ウイスカ成長と物質移動との関連について述べた。ここでは、物質移動の駆動力となるエネルギーならびにひずみについて考察した結果を述べる。