無電解銅めっき析出初期の応力と膜構造に及ぼす添加剤の影響

摘要

TVホログラフィー干渉法はレーザー光を用いてめっき膜の析出中に発生した内部応力による基板の微小なたわみを高感度でその場測定できる手法である。我々は同法を用いてSi基板上の無電解銅めっき初期析出過程の応力挙動を調べ、膜成長に伴う構造変化との関係を報告している1）。本研究では、無電解銅めっき膜の析出初期の応力と膜構造に及ぼす添加剤の影響について調べた結果を報告する。