泳動電着法によるインジウムー亜鉛酸化物希薄磁性薄膜の作製と特性評価

摘要

最近，ZNo，TIO_2，SnO_2などの酸化物に微量のFe，Co，Mnなどの遷移金属イオンをドープした薄膜や粉末が室温強磁性を示すことが報告され，スピントロニクス材料として注目されている。野村らさも　ゾルーゲル法により調製したFeドープIZO粉末から作製したペレットをターゲットに用いて，レーザーアプレーション法により，FeドープIZO薄膜を作製し，その磁気特性を報告している。本研究では，泳動電着（EPD：electrophoretic deposition）法を用いてITO基板上にFeドープIZO(In_2O_3：ZmO）薄膜を作製し，その希薄磁性半導体（DMS：dilute magnetic semiconductor)特性について調べることを目的とする。