8インチウエハ用Cuめっきプロセスの開発--高純度めっき材料によるCu配線抵抗率低減効果の検証

摘要

配線幅減少に伴うCu配線抵抗率の急激な上昇は、次世代高速LSIを実現する上で大きな障害となっており、ブレイクスルーが求められている。筆者らは、その本質的ソリューションとして高純度めっき材料を用いた高純度Cuめっきプロセス技術により、Cu配線中の結晶粒径を配線長さ方向へ均一·大粒径化でき、配線抵抗率を大幅に低減できる知見をチップ（10mmロ）サイズで得た。本研究では、この知見をもとに、8インチウエハを用い、めっき材料の高純度化よる微細Cu配線の抵抗率低減効果の検証を行った。