超高純度Cu陽極の含リン化が8ィンチウェハへの超高純度めつきプロセスにおける異物汚染および 形成したCu配線の抵抗率に及ぼす影響

摘要

In order to apply high-purity plating process using high purity plating materials (anode and electrolyte) to practical use, the influence of phosphorus impregnated ultra-high purity Cu anode on the particle pollution and Cu wiring resistivity in the 8 inch wafer processes has been investigated. Black film formed on the phosphorus impregnated ultra-high purity 99.999999 mass% (8 N) anode prevents the emission of fine particles from anode to electrolyte, resulting in the formation of low resistivity narrow Cu wires.%次世代高速集積回路(Large Scale Integration：LSI)用Cu配線では，幅の減少とともに，Cu結晶粒径が電子の平均自由行程と同程度のレベルまで微細化するため，結晶粒界における電子散乱が顕在化して電気抵抗率が著しく増大するという問題がある.電気抵抗率の増加は，配線遅延を増大させ，LSIの高速化•低消費電力化を阻害する.