机译:通过改变生长压力和插入AlN / GaN超晶格中间层来高质量生长AlGaN
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:AlN中间层对无裂纹AlGaN和GaN上AlN / GaN多层MOVPE生长的应变效应
机译:通过改变生长压力和插入Aln / GaN超晶格中间层来高质量的AlGaN生长
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:MOVPE生长条件为AlGaN / GaN / Si异质结构的优化,SIN和LT-ALN中间层专为HEMT应用而设计
机译:用于UV光电探测器应用的GaN,alN和alGaN的mOCVD生长。