机译:在通过常规快速热退火激活的Mg注入层中制造的离子注入GaN MISFET
机译:离子植入的GaN MISFET在Mg植入层中制造,通过常规快速热退火激活
机译:使用大剂量H〜+离子注入绝缘体上硅层并随后进行快速热退火来形成纳米晶硅膜
机译:闪光退火和传统快速热退火后P型硅基板上的超浅植入P +层的表征
机译:在快速辅助快速热退火过程中,硼的活化和扩散会改变硅的初始工艺条件。
机译:在不同的注入后退火后p型铝注入的4H-SiC层上的欧姆接触
机译:通过多波长拉曼光谱在快速热退火过程中非接触式监测硅衬底上B掺杂外延si1-xGex双层中的Ge和B扩散