机译:等离子体处理对PECVD氧化硅和氮化硅MIM电容器微结构和电性能的影响
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机译:通过高密度和低离子能量等离子体后处理改善PECVD氧化硅的电性能
机译:高密度低等离子体损伤PECVD在400℃形成的氮化硅的电学性质
机译:增强对PECVD氮化硅特性的了解和控制及其在多晶硅太阳能电池中的应用
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:器件质量氮化硅的高密度等离子体沉积。二。厚度对电性能的影响
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用