Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-10 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Japan;
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University;
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University;
Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-10 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Japan;
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University;
Graduate School of Engineering, Tohoku University, 6-6-10 Aza-Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai, Japan,New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University;
New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University;
机译:等离子体处理对PECVD氧化硅和氮化硅MIM电容器微结构和电性能的影响
机译:等离子体处理对PECVD氧化硅和氮化硅MIM电容器微结构和电性能的影响
机译:通过高密度和低离子能量等离子体后处理改善PECVD氧化硅的电性能
机译:使用高密度和低等离子体损伤的氮化硅电气性能在400°C下形成PECVD
机译:增强对PECVD氮化硅特性的了解和控制及其在多晶硅太阳能电池中的应用
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:器件质量氮化硅的高密度等离子体沉积。二。厚度对电性能的影响
机译:通过快速热氧化物/ pECVD氮化硅叠层有效钝化低电阻率硅表面及其在钝化后部和双面si太阳能电池中的应用