机译:通过在具有良好表面的HVPE-GaN衬底上外延生长从Ga_2O蒸气生长的GaN层的生长速率急剧增加
机译:HVPE-GaN散装生长期间使用石英环控制异源生长的GaN多晶。
机译:氮化铝异质结场效应晶体管的半绝缘GaN块状衬底生长表面的表面处理
机译:高导电和半绝缘GaN基材的散装HVPE-GaN通路的生长与表征
机译:用于未来III-氮化物生长的氢化物气相外延生长GaN衬底的表征
机译:具有再生欧姆接触的半绝缘Ammono-GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:GaN体衬底上的半极性(11(2)-bar2)GaN和InGaN / GaN量子阱的外延生长和光学性质