半導体の線幅標準に関する研究（第7 報）‐金属コーティングによるエッジ決定法

摘要

半導体メーカーにとって，製品の加工工程における計測と評価は重要であり，回路線幅は基本的な計測対象である．今日，半導体産業では半導体素子の微細化が進hでいるが，標準となる線幅の測定方法は確立されていない．現在使用されている測定法として， CD-SEM (Critical Dimension Scanning Electron Microscopes) ， AFM (Atomic Force Microscope) などがあげられる．これらの装置による測定値は，同一の測定値に関しては比較が可能であるが，他の測定器による測定値との互換性がない．本研究は，線幅の境界を高倍率で撮影可能であるSTEM (Scanning Transmission Electron Microscopes) を用いて，線幅の標準となる測定方法を確立し，他の測定器の校正を目的としている．前報では，STEM 画像Si 格子配列を基に境界の決定を行った．本報では，金属コーティングを施したSi 画像を撮影することで，新たな境界決定法を提案する．