近赤外エバネッセント定在波を用いた半導体ウエハ表面の超解像光学式欠陥検査（第二報）－フィルタによるエラーの影響抑制

摘要

我々は，半導体欠陥計測を高解像性，非破壊性，高スループット性のもとで行うために，定在波照明をシフトさせることによる超解像光学式検査方法を提案し開発している[1]．この方法は，PZT を用いて2 光束干渉による定在波照明パターンをナノオーダで空間シフトさせ，複数の光散乱像を取得する．複数像に対して計算機による後処理を加えることで，定在波照明の高周波情報を解像結果に反映させ，レイリー限界を超えた解像を行うというものである．本報ではこの手法に用いる定在波としてシリコンウエハ下部から近赤外光で二方向で照明することによって得られる近赤外エバネッセント定在波を用いることを提案する．この手法によって高解像度かつシリコンの表面近傍の高SN 比の情報を得ることができると考えられる．本報では光学系のもつ遮断周波数以上の情報をカットするローパスフィルタを導入することによってエラーの影響を抑制することを試みた．ノイズの影響が抑制され，解像特性が改善することを確認した．