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揺動速度制御型研磨による大口径ウエハの高平坦化-シミュレーション精度に影響する加工速度特性の解明

机译:通过摆动速度控制的大直径晶片的高端终止抛光抛光处理速度特性影响模拟精度

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摘要

半導体製造プロセスのリソグラフィ工程で要求されるシリコンウエハの平坦度はますます厳しくなると予想される中,次世代450mm ウエハに対する量産加工技術の検討が進められている.ウエハの高平坦化に用いられるCMP ( Chemical Mechanical Polishing)工程には,サイト平坦度ばかりでなく,大口径化に伴い劣化が予想されるウエハ全面の平坦度にも高精度化が求められている.一般的なバッチ式CMP ではウエハ全面を均一に研磨するため,平坦度の修正は難しい.一方,枚葉式の揺動速度制御型CMP は高い修正研磨能力をもち,研磨シミュレーションによりウエハサイズに応じて最適研磨条件を計算するので,直径450mm ウエハの平坦化にも適用可能である.しかし,ウエハの大口径化に伴い加工形状と研磨シミュレーションによる理論形状の差が,直径300mm ウエハに比べて大きくなると考えられる.現在使用している,プレストンの式を基本とする研磨シミュレーションでは,研磨パッドとウエハ間の相対速度は加工速度に比例するが,実験結果と一致しないため補正式を導入している.小径の研磨を用いる揺動速度制御型研磨においては,加工速度を相加させるために工具·試料の回転速度を高速にする.この生産能率を上げるために相対速度域は加工速度の飽和域に入るので,高相対速度下における加工速度特性を明らかにすることはシミュレーション精度を向上させることになる.本報では,直径300mm ウエハを用いた研磨実験により.相対速度の高速域における加工速度特性を明らかにする.
机译:虽然预期在半导体制造过程的光刻过程中所需的硅晶片的平坦度,但是已经研究了用于下一代450mm晶片的大规模生产加工技术。在用于在晶片的高平坦化的CMP(化学机械抛光)过程中,也需要在其中的劣化预计不仅与大直径的部位的平坦度的晶片的整个表面的平整度很高的精度。。一般批量CMP难以修复平整度均匀地抛光整个晶片。另一方面,由于单晶片摆动速度控制型CMP具有高校正抛光容量,并且根据抛光仿真根据晶片尺寸计算最佳抛光条件,因此也适用于直径为450的扁平化毫米晶圆。然而,可以认为,由处理形状和抛光模拟由于晶片的孔径在理论形状的差​​大于一个直径为300mm的直径。在当前使用的抛光模拟中,抛光垫和晶片之间的相对速度与加工速度成比例,在基本抛光模拟中,但介绍校正类型,因为它与实验结果不匹配。在使用小直径抛光的摆动速度控制抛光时,工具的旋转速度和样品的旋转速度更快以增加加工速度。由于相对速度范围在加工速度的饱和来增加这种生产效率,因此在高相速度下的处理速度特性是提高模拟精度。在本报告中,使用直径为300mm晶片的抛光实验。揭示相对速度高速区域的处理速度特性。

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