白色照明を用いた光散乱型Si ウエハ表面検査装置の開発－6インチウエハに散布した115nm ラテックス標準粒子の全面計測

摘要

近年、半導体デバイスの多機能·高性能化が求められている。半導体集積回路の微細化の際にウエハ表面上の微小欠陥が歩留まり低下の原因となっており、高歩留まりを維持しながら量産するためには、Si ウエハ表面性状を向上させ、各製造プロセスで発生するパーティクルを徹底管理し、低減、防止することが重要である。そのため、ウエハ製造工程において、品質評価として外観検査が行われており、次世代半導体集積回路製造プロセスに対応した検査装置が求められている。レーザ光散乱Siウエハ表面評価装置の試作機を開発した知見1)を基に、白色光源を用いた光散乱型表面評価装置の実用機を製作した。2)実用機はできる限り汎用性の高いものを目指し、仕様が全自動制御、粒子検出限界100nm、ウエハ1枚あたりの計測時間が1 分であることを目標に開発を行った。しかし、光源の光量不足とCCDカメラの暗電流のため検出限界の目標に達することができなかった。そこで、本装置を改良し、装置性能の向上を図った。改良した本実用機の概要、および計測結果について報告する。