ガスパフプラズマガンをイオン源としたパルス重イオン加速器の開発

摘要

パルス重イオンビーム(PHIB)は、イオン注入と同時に材料表面を高温に加熱することができる。このことから、PHIBはSiC等の高融点材料への新しいイオン注入法として期待されている。しかしながら、PHIBを半導体プロセスに応用するには高純度のイオンビームの発生が不可欠である。本研究では高純度のPHIB発生を目指して、ガスパフプラズマガンをイオン源としたイオンダイオードの開発を行っている。今回、発生したイオンビームの特性を評価したので報告する。