机译:电荷陷阱存储器中用于擦除操作的带间隧道热空穴注入特性
机译:电荷捕获闪存单元中基于调制Fowler-Nordheim隧穿的2位运算
机译:通过编程/擦除持久性分析NAND闪存中浮栅电荷的移位和生成的隧穿氧化物陷阱电荷分布的新方法
机译:托诺(氧化锡 - SIN-AL2O3-TAN)结构的电荷捕获记忆单元由福勒 - 诺德海姆隧道渗出
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:SiN对Fowler-Nordheim隧穿程序/擦除操作下电荷陷阱闪烁(CTF)性能和可靠性的影响