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机译:电荷捕获闪存单元中基于调制Fowler-Nordheim隧穿的2位运算
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan;
机译:2位/单元的高可靠性动态阈值源侧注入,在普通型闪存中采用包裹选择门SONOS的MLC操作
机译:具有低电压操作特性的基于ZnO / NiO二极管的电荷陷阱层
机译:具有多级单元操作的高可靠性金属氧化物-氮化物-氧化物-半导体类型的NAND闪存的富硅氮化物电荷陷阱层工程
机译:在Fowler-Nordheim应力下的闪存单元隧道氧化物中产生单电荷和双电荷电子陷阱
机译:基于物理的硅纳米晶非易失性闪存单元充电动力学建模
机译:通过晶体ZrTiO4电荷陷阱层实现低压操作的闪存
机译:具有调制隧穿氧化物的柱型氧化硅-氮化物-氧化硅-硅闪存单元
机译:基于单端口存储单元的快速多端口存储器