机译:n型4H-SiC MOS电容器在强积累下来自近界面陷阱的电导信号
机译:通过CCDLTS和DFT计算研究4H-SiC MOS器件中近界面氧化物陷阱的磷钝化机理
机译:介质/ SIC接口USINQ CCDLTS近接口陷阱的特征
机译:来自能量分辨CCDLTS的N型SiO2 / SiC MOS电容器中的近接口陷阱
机译:基于4H-SiC N型外延层和像素Cdznte单晶装置的高分辨率辐射检测器
机译:5 MeV质子辐射对氮化SiO2 / 4H-SiC MOS电容的影响及相关机制
机译:直接测量4H-SiC MOS电容器强累积区域中的有源近接口陷阱
机译:近界面网络应变对siO2中质子迁移率的影响