机译:低压金属有机化学气相沉积法制备ZnO / GaN / Al_2O_3和ZnO / Al_2O_3薄膜的性能比较研究
机译:通过HVPE生长比较在MOCVD-GaN / Al_2O_3和MOCVD-GaN / SiC样品上生长的GaN薄膜的应变
机译:通过低压MOCVD生长的氧化铝薄膜的研究:XPS和AES(2002年第16卷,第1页)
机译:低压MOCVD在Si(100)上的Al_2O_3:C薄膜研究
机译:通过低压MOCVD生长的III型氮化物半导体膜和器件结构。
机译:在环境压力下通过化学气相沉积法从苯上低温生长的连续石墨烯薄膜
机译:通过低压MOCVD在γ-LiAlO2(3 0 2)衬底上生长的非极性a面GaN膜
机译:LpE和mOCVD技术生长Gaas和al(x)Ga(1-x)as外延薄膜生长参数的研究