一种双光路脉冲激光在Si（100）基片上沉积InGaN薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种双光路脉冲激光沉积设备及其应用在Si(100)基片上沉积InGaN薄膜的方法，所述设备能够将激光分为双路对靶材进行照射，具体方法为：将清洁好的Si(100)衬底放入基片台上加热至650℃～750℃并保温50～70min；依次沉积TiN、AlN、GaN、InGaN层，采用的激光能量分别为150‑250mJ、50‑150mJ、200‑300mJ、100‑200mJ，沉积时间分别为10～30min、30～50min、50～70min、50～70min；所述InGaN层采用双光路工艺进行。本发明能够提高薄膜晶体质量，同时还可大幅度提高器件如半导体激光器、发光二极管及太阳能电池的效率。