机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:具有亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅极电介质非晶LaGdO_3栅金属氧化物半导体器件
机译:热处理和等离子处理,用于改进(小于)1 nm等效氧化物厚度的平面和基于FinFET的替代金属栅极高k后器件,并支持简化的可扩展CMOS集成方案
机译:ZR氧化物基栅电介质,等效SiO2厚度小于1.0nm,与Pt栅电极的器件集成
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:质子传导氧化石墨烯/壳聚糖复合电解质作为新概念器件的栅极电介质
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件