SiGeMOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究

摘要

为了获得电学性能良好的SiGePMOSSiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300°C下制备技术进行了研究.实验表明采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火,有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度.同时该技术用于SiGePMOS研制,其300K常温和77K低温下跨导分别达到45ms/mm和92.5ms/mm.(W/L=20μm/2μm).