机译:介孔SiO {sub} 2作为低k电介质,用于集成在Cu /低k互连系统中
机译:有效的铜表面预处理,用于具有高耐等离子体性的超低介电常数(k = 2.2)的高可靠性22 nm节点铜双镶嵌互连
机译:将新型无孔低k介电氟碳化合物集成到高级Cu互连中
机译:使用机械强度高的低k介电材料进行简单,可靠的Cu /低k互连集成:碳氧化硅
机译:低介电常数材料的各向异性和铜/低k互连的可靠性。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:利用角度分辨光散射在IC器件上的Cu / Low-K互连上具有角度分辨光散射的低k电介质的拉曼信号的增强